英飞凌近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN™ 650V G5晶体管,该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓(GaN)产品组合。该新产品系列的适用范围广泛,包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和工业开关电源(SMPS)、可再生能源,以及家用电器中的电机驱动器。
CoolGaN™ 650V G5晶体管最新一代CoolGaN™晶体管可直接替代CoolGaN™ 600V G1晶体管,实现了现有平台的快速重新设计。
新器件改进了性能指标,确保为重点应用带来具有竞争力的开关性能。与主要同类产品和英飞凌之前的产品系列相比,CoolGaN™ 650V G5晶体管输出电容中存储的能量(Eoss)降低了多达50%,漏源电荷(Qoss)和栅极电荷(Qg)均减少了多达60%。
凭借这些特性,新器件在硬开关和软开关应用中都具有出色的效率。与传统的半导体技术相比,其功率损耗大幅降低,根据具体使用情况可降低20%-60%。
这些优势使该系列器件能够在高频率下以极低的功耗工作,因此具有出色的功率密度。CoolGaN™ 650V G5晶体管使SMPS应用变得更小、更轻,或在规定外形尺寸的情况下提高输出功率范围。
该新型高压晶体管产品系列提供多种RDS(on)封装组合。十种RDS(on)级产品采用各种SMD封装,如ThinPAK 5x6、DFN 8x8、TOLL和TOLT。所有产品均在奥地利菲拉赫和马来西亚居林的高性能8英寸生产线上生产。
未来,CoolGaN™将过渡到12英寸生产线。这将使英飞凌进一步扩大其CoolGaN™产能,并确保在GaN功率市场上拥有稳健的供应链。Yole Group预测到2029年,该市场规模将达到20亿美元。