了解英飞凌全新沟槽型CoolSiC™ MOSFET G2如何使得SiC性能达到全新水平，同时在所有常见功率变换应用（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中达到最高质量标准。在光伏逆变器、储能系统、电动汽车充电、电源、电机驱动器等众多应用中，SiC MOSFET比Si器件具有更好性能。
更高能效
功耗至关重要！了解英飞凌全新沟槽型CoolSiC™ MOSFET G2如何帮助改进AC/DC、DC/DC、DC/AC功率变换应用中常用拓扑的功率传输。硬开关和软开关MOSFET操作的关键优值，相比前代技术都提高了20%以上。
SiC MOSFET标志性的快速开关能力也提高了30%以上。因此，在光伏逆变器、储能系统、电动汽车充电、UPS等应用中，G2在所有操作模式下都具有更低功耗。以三相电为例，取决于负载情况，1200 V CoolSiC™ G2相比前代技术可使功耗降低5% – 30%，从而使得现场进行每瓦功率变换时的损耗大大降低。
英飞凌独一无二的.XT互连技术（采用TO-263-7、TO-247-4分立式封装）的进一步发展，有助于解决如何在提高芯片性能的同时维持其热性能的挑战。G2的热性能提升了12%，使得反映SiC性能的芯片优值提高到全新水平。
小尺寸，高功率
结合SiC具有的低功耗和小尺寸优势。SiC MOSFET的导通电阻越小，导通损耗就越低，从而可以提高能源效率和功率密度，并减少部件数量。CoolSiC™ G2 MOSFET产品组合拥有市场上同类产品中最低的导通电阻。采用SMD封装的650 V CoolSiC™拥有7 mOhm导通电阻。
采用TO263-7封装的1200 V CoolSiC™拥有8 mOhm导通电阻；采用TO263-7和TOLL封装的CoolSiC™拥有11 mOhm导通电阻。采用英飞凌.XT互连技术的改良封装降低了热阻，从而使得输出功率更高，而工作温度更低。SMD封装可实现的输出功率提高了60%以上，将功率变换应用中的功率密度提升至更高水平。
充分发挥SiC性能优势
SiC的投资回报实现最大化。了解CoolSiC™ MOSFET G2产品如何确保在现场运行中达到并长期保持最佳性能。
系统设计人员如今可以利用数据表规格中1200 V产品系列在150°C下拥有最大导通电阻这一优势。当在高温下正常运行时，无需因为配电网的不确定性而考虑额外裕度时，可以充分发挥SiC MOSFET的性能优势。
在1200 V CoolSiC™ MOSFET G2数据表中，包含最先在TO-263-7封装中实现的、最高模拟结温达到200°C时的过载操作。
为了应对因电网波动等原因所导致的过载事件，系统设计人员可以设计比前代技术更高的输出电流，或者能够降低冷却需求。数据表中给出的雪崩鲁棒性，可进一步简化应对这类过流事件所需的系统设计考虑。
CoolSiC™ MOSFET G2产品的数据表规格，可很好地防止意外导通，确保硬换流期间体二极管操作的稳健性，并具有良好的短路能力。
CoolSiC™是英飞凌
坚持质量为先的又一重要证明
所有先进的硅基功率器件均为沟槽型，且沟槽型已全面取代平面型。那么碳化硅功率器件又是怎样的呢？就沟槽型设计具有的性能优势而言，SiC与硅基功率MOSFET技术的演变有许多相似之处。但采用沟槽型设计的SiC额外拥有一个极其重要的优势，那就是可靠性。在SiC材料中，竖向晶界相比横向晶界显著降低了缺陷密度。
这为优化相应性能的可靠性提供了新的可能。可靠性是英飞凌开发每一个功率器件的基础，沟槽型CoolSiC™ MOSFET G2保持了与G1相同的高可靠性。根据所有已售出CoolSiC™ MOSFET G1（包括工业级单管和模块）获得的DPM（百万缺陷率）数据显示，SiC的产品退货率甚至低于硅基功率器件这一非常成熟的技术。
英飞凌在应用使用寿命测试方面也走在前列，所开发的一些试验如今已加入到JEDEC标准中。沟槽型CoolSiC™ MOSFET设计现在和未来都有助于客户在能源效率方面保持可持续竞争力。
功能
400V/650V/1200V CoolSiC™ MOSFET G2
最低导通电阻（RDS(on)）
最广泛的产品组合
独一无二的可靠性优势
