随着市场对笔记本电脑快充需求的增加，英飞凌针对28V输出， 推出USB PD3.1高功率密度方案，突破了长期以来的100W功率限制，最高功率可达到140W，进一步提高笔记本的充电效率，可以满足更大功率的设备供电。
英飞凌USB-PD 3.1 EPR的
140W高功率密度解决方案
采用混合反激 （HFB）拓扑,支持5-28V宽压输出
可灵活搭配CoolGaN™ 或 CoolMOS™ ，满足不同的产品定位需求
相比传统QR,ACF拓扑，具有明显的系统优势：
HFB拓扑优势，磁性器件更小（用RM8实现140W设计）
全软开关控制，EMI更易处理
HFB级用CoolMOS™ 即可达到业界领先的效率和功率密度
同步整流可使用80V MOSFET，降低成本及器件的选型难度
协议部份采用了基于ARM核的EZ-PD™ CCG3PA，支持PD3.1 EPR
XDP™ 用于高功率充电器和适配器的控制器
数字多模式混合反激(HFB) IC – XDPS2201
系统/ 应用概况
关键特性
集成600V高压启动和高低边MOS 驱动
多模式运作 用于优化不同输入，输出及负载条件下的效率
在所有条件下实现ZVS
CRM* 实现最优效率
ZV-RVS** 改善轻载效率
Active burst-mode 改善极轻轻载效率和待机功耗
支持 USB-PD 变电压输出应用
频率抖动 用于改善EMI
高度灵活可变的IC参数 通过UART 配置满足指定系统的需求
高系统可靠性 IC集成整套完备的保护
可通过引脚读出
CRM: 连续谐振模式
ZV-RVS: 零电压谐振谷底开关
EZ-PD™ CCG3PA
即插件即用型 USB-C PD 控制器
系统/ 应用概况
关键特性
USB-C PD 控制器, 支持PD3.1,PD 3.0,QC 4.0,BC1.2,Apple Charging 2.4A,Samsung AFC
基于Arm® Cortex®-M0 的 MCU 64KB Flash
EZ-PD 配置功能可针对客户特定规格进行参数配置
集成计时/计数/脉宽调制模块 ，6个GPIO
集成模拟模块
可配置的 VBUS 过压保护，过流, 欠压, 和短路
集成 2个 VBUS 放电管和 及负载开关驱动
低边电流检测
24 QFN (16 mm2)
CoolGaN™
高效，高可靠性的氮化镓产品
CoolGaN™驱动简单可靠
电流型驱动器件，只要RRC网络即可直接驱动，简单，可靠。
针对适配器应用600V
CoolGaN™ 产品阵容
分立CoolGaN™关键特性
采混合漏极结构具有非常优异的动态Rdson性能
栅极电流注入驱动
栅极不易产生电压尖峰，集成ESD保护，提高可靠性
通过注入空穴提升沟道载子密度提高饱和电流密度
通过栅极阻容设计兼容传统模拟控制器，开关速度可调
经过市场及高可靠应用验证的成熟产品
集成Driver的
CoolGaN™关键特性
基于CoolGaN™ 开发的集成驱动的氮化镓产品
采用半桥结构，目标应用图腾柱PFC, ACF,AHB, LLC和基于DSP/MCU的数字电源方案
支持3.3V逻辑电平输入，集成18nS的抗尖峰脉冲滤波器
通过栅极的Rtr可调节开关速度
PFD7 系列专为软开关拓扑设计的CoolMOS™
MOS滞回损耗产生
PFD7专为软开关设计
在软开关应用中，非常小的滞回损耗提升系统效率
集成ESD保护器件提高生产良率，降低成本及产品售后失效率
更低的驱动损耗 (Qg, Qgd）提升轻载效率
集成快恢复体二极管超低 Qrr降低，为半桥开关提供一个额外的安全裕量，减少设计量
产品阵容
减小滞回损耗的案例
英飞凌65W内部测试用板
输入电压:90 VAC – 265 VAC
输出电压: 5 – 20 V
标称功率: 65 W
工作频率: 100 – 220 kHz
变压器: RM10LP
OptiMOS™ PD用于
充电器/适配器的低压MOSFET产品
OptiMOS™ PD 功率 MOSFETs 的主要封装 PQFN 3.3×3.3 和PQFN 5*6封装
专为充电器/适配器设计，价格和交付更有灵活性
支持逻辑电平输入保证在低电压下完全导通，具有很低的通态电阻
业界领先的低开关损耗，帮助通过能效等级测试。
OptiMOS™ PD:
用于同步整流的重点推荐型号
OptiMOS™ PD/6:用于负载开关的重点推荐型号
