[导读] 身为国家存储器项目首发基地的长江存储，4月11日武汉厂正式举行装机典礼，由紫光集团暨长江存储董事长赵伟国亲自主持，国家集成电路产业投资基金股份有限公司（大基金）总裁董事长丁文武也到场支持，紫光集团全球执行副总裁暨长江存储执行董事长高启全表示，长江存储已经获得第一笔10776颗芯片的订单。
身为国家存储器项目首发基地的长江存储，4月11日武汉厂正式举行装机典礼，由紫光集团暨长江存储董事长赵伟国亲自主持，国家集成电路产业投资基金股份有限公司（大基金）总裁董事长丁文武也到场支持，紫光集团全球执行副总裁暨长江存储执行董事长高启全表示，长江存储已经获得第一笔10776颗芯片的订单。
长江存储武汉新厂房的启动，代表国内实现3D NAND量产的全新起点，对中国半导体产业极具里程碑意义！紫光在武汉、南京、成都三地皆具备12寸厂，率先启动的是武汉基地，赵伟国指出，武汉将募资800亿人民币，日前金额已经全数到位，今年可进入小规模量产，明年进入128Gb的3D NAND在64层技术的研发。
业内人士认为，现在NAND Flash大厂三星电子、美光、东芝、SK海力士主流的3D NAND技术是64层和72层，虽然今、明两年将跨入96层技术，但这个技术门槛十分高，要进入大量生产需要一些时间，如果紫光可以在64层3D NAND技术如期研发成功，那国内自主存储技术的脚步将更为坚定。
据悉，长江存储的32层3D NAND芯片首笔订单将应用在8GB uSD卡上，这代表国内3D NAND芯片研发已经跨出成功的第一步，不但研发成功，并且进入商用化！
事实上，长江存储的武汉基地第一期生产线进度十分快速，2017年9月已提前封顶，2017年11月长江存储第一颗32层3D NAND芯片宣布研发成功，而2018年2月进行厂内洁净室、消防等系统安装，4月11日这天正式举行半导体设备装机典礼，实现国内3D NAND芯片量产仅一步之遥！
